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IPT047N15NM6ATMA1

IPT047N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineonipt047n15nm6datasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Technische Details IPT047N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 147A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 234W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT047N15NM6ATMA1 IPT047N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt047n15nm6datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT047N15NM6ATMA1 IPT047N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPT047N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f9a39557140f Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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IPT047N15NM6ATMA1 IPT047N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT047N15NM6_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
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