IPT60T022S7XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 16.65 EUR |
| 10+ | 13.98 EUR |
| 100+ | 12.08 EUR |
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Technische Details IPT60T022S7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPT60T022S7XTMA1 nach Preis ab 10.35 EUR bis 18.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPT60T022S7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT60T022S7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT60T022S7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT60T022S7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 23A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPT60T022S7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V |
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