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IPT65R080CFD7XTMA1

IPT65R080CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT65R080CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347018678d11e89546f
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details IPT65R080CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 201W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT65R080CFD7XTMA1 IPT65R080CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT65R080CFD7_DataSheet_v02_00_EN-3107466.pdf MOSFET
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Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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IPT65R080CFD7XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET
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IPT65R080CFD7XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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