IPT65R099CFD7XTMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.69 EUR |
| 500+ | 4.13 EUR |
| 1000+ | 3.88 EUR |
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Technische Details IPT65R099CFD7XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPT65R099CFD7XTMA1 nach Preis ab 3.88 EUR bis 10.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPT65R099CFD7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT65R099CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOFPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
auf Bestellung 1988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R099CFD7XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.02 EUR |
| 36+ | 6.52 EUR |
| 100+ | 4.69 EUR |
| 500+ | 4.13 EUR |
| 1000+ | 3.88 EUR |
| IPT65R099CFD7XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 10.77 EUR |
| 10+ | 7.16 EUR |
| 100+ | 5.14 EUR |
| 500+ | 4.64 EUR |


