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Technische Details IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Weitere Produktangebote IPT65R099CFD7XTMA1 nach Preis ab 3.26 EUR bis 8.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IPT65R099CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOFPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
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| IPT65R099CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005537607 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPT65R099CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
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