IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.80 EUR |
| 10+ | 5.38 EUR |
| 100+ | 3.85 EUR |
| 500+ | 3.60 EUR |
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Technische Details IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Weitere Produktangebote IPT65R099CFD7XTMA1 nach Preis ab 3.38 EUR bis 8.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IPT65R099CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
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| IPT65R099CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005537607 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPT65R099CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
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