IPT65R155CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details IPT65R155CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 122W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.
Weitere Produktangebote IPT65R155CFD7XTMA1 nach Preis ab 3.07 EUR bis 7.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPT65R155CFD7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 122W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT65R155CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT65R155CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT65R155CFD7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 122W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R155CFD7XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
Description: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.8 EUR |
| IPT65R155CFD7XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET
MOSFET
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.28 EUR |
| 10+ | 5.28 EUR |
| 25+ | 4.99 EUR |
| 100+ | 4.27 EUR |
| 250+ | 4.05 EUR |
| 500+ | 3.8 EUR |
| 1000+ | 3.47 EUR |
| IPT65R155CFD7XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.5 EUR |
| 10+ | 4.91 EUR |
| 100+ | 3.44 EUR |
| 500+ | 3.07 EUR |
| IPT65R155CFD7XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
Description: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 32+ | 7.93 EUR |
| 41+ | 5.69 EUR |
| 100+ | 3.8 EUR |