IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 128+ | 5.13 EUR |
| 500+ | 4.78 EUR |
| 1000+ | 4.43 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 408A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPTC011N08NM5ATMA1 nach Preis ab 4.43 EUR bis 14.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPTC011N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R |
auf Bestellung 3593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPTC011N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPTC011N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IPTC011N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET > 60-80V |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IPTC011N08NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 408A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IPTC011N08NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 408A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IPTC011N08NM5ATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 3593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 128+ | 5.13 EUR |
| 500+ | 4.78 EUR |
| 1000+ | 4.43 EUR |
| IPTC011N08NM5ATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1800+ | 5.88 EUR |
| IPTC011N08NM5ATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1800+ | 5.9 EUR |
| IPTC011N08NM5ATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.25 EUR |
| 10+ | 7.52 EUR |
| 100+ | 5.43 EUR |
| 500+ | 4.96 EUR |
| 1000+ | 4.65 EUR |
| IPTC011N08NM5ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 14.38 EUR |
| 50+ | 8.94 EUR |
| 100+ | 7.65 EUR |
| 500+ | 7.02 EUR |
| 1000+ | 6.43 EUR |
| IPTC011N08NM5ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 14.38 EUR |
| 50+ | 8.94 EUR |
| 100+ | 7.65 EUR |
| 500+ | 7.02 EUR |
| 1000+ | 6.43 EUR |