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IPTC012N06NM5ATMA1

IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPTC012N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018456ebf8b834c2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1800+2.77 EUR
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Technische Details IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPTC012N06NM5ATMA1 IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iptc012n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.28 EUR
31+5.64 EUR
32+5.38 EUR
50+5.26 EUR
100+4.64 EUR
250+4.46 EUR
500+4.09 EUR
1000+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IPTC012N06NM5ATMA1 IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iptc012n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R
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31+5.52 EUR
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50+4.97 EUR
100+4.28 EUR
250+4.01 EUR
500+3.61 EUR
1000+3.4 EUR
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IPTC012N06NM5ATMA1 IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTC012N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018456ebf8b834c2 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
auf Bestellung 4277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.25 EUR
10+5.44 EUR
100+3.83 EUR
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IPTC012N06NM5ATMA1 IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPTC012N06NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 832 Stücke:
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1+10.42 EUR
10+7 EUR
100+5.02 EUR
500+4.93 EUR
1000+4.65 EUR
1800+4.16 EUR
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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31+5.64 EUR
32+5.38 EUR
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31+5.52 EUR
32+5.18 EUR
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100+4.28 EUR
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IPTC012N06NM5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
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Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
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