IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 6.43 EUR |
| 31+ | 5.77 EUR |
| 32+ | 5.51 EUR |
| 50+ | 5.38 EUR |
| 100+ | 4.74 EUR |
| 250+ | 4.57 EUR |
| 500+ | 4.19 EUR |
| 1000+ | 3.95 EUR |
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Technische Details IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTC012N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 311 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 311A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm.
Weitere Produktangebote IPTC012N06NM5ATMA1 nach Preis ab 3.47 EUR bis 10.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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IPTC012N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R |
auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPTC012N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V |
auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPTC012N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
auf Bestellung 832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPTC012N06NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC012N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 311 A, 0.0012 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 311A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm |
auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPTC012N06NM5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 6.43 EUR |
| 31+ | 5.65 EUR |
| 32+ | 5.3 EUR |
| 50+ | 5.09 EUR |
| 100+ | 4.38 EUR |
| 250+ | 4.11 EUR |
| 500+ | 3.69 EUR |
| 1000+ | 3.47 EUR |
| IPTC012N06NM5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.35 EUR |
| 10+ | 5.51 EUR |
| 50+ | 4.27 EUR |
| 100+ | 3.88 EUR |
| IPTC012N06NM5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.42 EUR |
| 10+ | 7 EUR |
| 100+ | 5.02 EUR |
| 500+ | 4.93 EUR |
| 1000+ | 4.65 EUR |
| 1800+ | 4.16 EUR |
| IPTC012N06NM5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC012N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 311 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 311A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
Description: INFINEON - IPTC012N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 311 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 311A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 10.92 EUR |
| 35+ | 6.74 EUR |
| 100+ | 5.3 EUR |
| 500+ | 5.19 EUR |
| 1000+ | 5.08 EUR |




