IPTC019N10NM5ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 279A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
| Anzahl | Preis |
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| 1800+ | 2.78 EUR |
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Technische Details IPTC019N10NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTC019N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 279 A, 1900 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 279A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPTC019N10NM5ATMA1 nach Preis ab 3.19 EUR bis 8.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPTC019N10NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 279A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPTC019N10NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
auf Bestellung 1952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPTC019N10NM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 279A; Idm: 31A; 300W; PG-HDSOP-16 Case: PG-HDSOP-16 Mounting: SMD Polarisation: N Gate charge: 160nC On-state resistance: 1.9mΩ Kind of channel: enhancement Power dissipation: 300W Drain current: 279A Gate-source voltage: 20V Pulsed drain current: 31A Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPTC019N10NM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC019N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 279 A, 1900 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 279A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPTC019N10NM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC019N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 279 A, 1900 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 279A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |