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IPTC020N13NM6ATMA1

IPTC020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPTC020N13NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e74cd86a12ebc
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
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Technische Details IPTC020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTC020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 297A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 395W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm.

Weitere Produktangebote IPTC020N13NM6ATMA1 nach Preis ab 6.52 EUR bis 16.6 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPTC020N13NM6ATMA1 IPTC020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_03-12-2024_IPTC020N13NM6_Rev2.0.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.96 EUR
10+10.91 EUR
100+8.99 EUR
500+8.03 EUR
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IPTC020N13NM6ATMA1 IPTC020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTC020N13NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e74cd86a12ebc Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V
auf Bestellung 2146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.6 EUR
10+11.36 EUR
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IPTC020N13NM6ATMA1 IPTC020N13NM6ATMA1 INFINEON 4334671.pdf Description: INFINEON - IPTC020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPTC020N13NM6ATMA1 IPTC020N13NM6ATMA1 INFINEON 4334671.pdf Description: INFINEON - IPTC020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
auf Bestellung 850 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPTC020N13NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTC020N13NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e74cd86a12ebc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 135V; 297A; 395W; PG-HDSOP-16
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 297A
Power dissipation: 395W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+6.52 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
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AnzahlPreis
1+15.96 EUR
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IPTC020N13NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V
auf Bestellung 2146 Stücke:
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IPTC020N13NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 297A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
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IPTC020N13NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
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Dauer-Drainstrom Id: 297A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
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IPTC020N13NM6ATMA1 Infineon-IPTC020N13NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e74cd86a12ebc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 135V; 297A; 395W; PG-HDSOP-16
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 297A
Power dissipation: 395W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of channel: enhancement
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