Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPTC034N15NM6ATMA1
IPTC034N15NM6ATMA1

IPTC034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

DS_IPTC034N15NM6_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1800+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 1800 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPTC034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTC034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 194A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 294W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.

Weitere Produktangebote IPTC034N15NM6ATMA1 nach Preis ab 4.27 EUR bis 14.04 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPTC034N15NM6ATMA1 IPTC034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPTC034N15NM6_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling
auf Bestellung 1185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.58 EUR
10+7.06 EUR
100+5.07 EUR
500+4.57 EUR
1000+4.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC034N15NM6ATMA1 IPTC034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies DS_IPTC034N15NM6_en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.85 EUR
10+7.94 EUR
50+6.26 EUR
100+5.72 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC034N15NM6ATMA1 IPTC034N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPTC034N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194fb30f68b6b49 Description: INFINEON - IPTC034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.04 EUR
27+8.75 EUR
100+5.83 EUR
500+5.38 EUR
1000+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC034N15NM6ATMA1 Infineon_IPTC034N15NM6_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IPTC034N15NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling
auf Bestellung 1185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.58 EUR
10+7.06 EUR
100+5.07 EUR
500+4.57 EUR
1000+4.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC034N15NM6ATMA1 DS_IPTC034N15NM6_en.pdf
IPTC034N15NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.85 EUR
10+7.94 EUR
50+6.26 EUR
100+5.72 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC034N15NM6ATMA1 Infineon-IPTC034N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194fb30f68b6b49
IPTC034N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.04 EUR
27+8.75 EUR
100+5.83 EUR
500+5.38 EUR
1000+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH