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IPTG017N12NM6ATMA1

IPTG017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPTG017N12NM6_DataSheet_v02_00_EN-3398047.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
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Technische Details IPTG017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTG017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 0.0017 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 331A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPTG017N12NM6ATMA1 IPTG017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG017N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018baf171f50114f Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1346 Stücke:
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IPTG017N12NM6ATMA1 IPTG017N12NM6ATMA1 INFINEON 4159887.pdf Description: INFINEON - IPTG017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 0.0017 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.29 EUR
16+15.15 EUR
19+11.44 EUR
50+10.82 EUR
100+10.22 EUR
250+9.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IPTG017N12NM6ATMA1 IPTG017N12NM6ATMA1 INFINEON 4159887.pdf Description: INFINEON - IPTG017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 0.0017 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.29 EUR
16+15.15 EUR
19+11.44 EUR
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IPTG017N12NM6ATMA1 Infineon-IPTG017N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018baf171f50114f
IPTG017N12NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 331A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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100+8.07 EUR
500+7.21 EUR
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IPTG017N12NM6ATMA1 4159887.pdf
IPTG017N12NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 0.0017 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.29 EUR
16+15.15 EUR
19+11.44 EUR
50+10.82 EUR
100+10.22 EUR
250+9.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 0.0017 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.29 EUR
16+15.15 EUR
19+11.44 EUR
50+10.82 EUR
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