IPU50R950CE Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
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Technische Details IPU50R950CE Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V, Power Dissipation (Max): 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPU50R950CE | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 123 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPU50R950CE |
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)