Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPU95R3K7P7AKMA1
IPU95R3K7P7AKMA1

IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.51 EUR
75+1.11 EUR
150+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 22W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm.

Weitere Produktangebote IPU95R3K7P7AKMA1 nach Preis ab 0.46 EUR bis 3.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPU95R3K7P7AKMA1 IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPU95R3K7P7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 2153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.12 EUR
100+1 EUR
1000+0.77 EUR
1500+0.71 EUR
10500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R3K7P7AKMA1 IPU95R3K7P7AKMA1 INFINEON INFN-S-A0006116883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
175+1.33 EUR
196+1.09 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6 Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 1255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.73 EUR
250+0.67 EUR
277+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon_IPU95R3K7P7_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPU95R3K7P7AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 2153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.53 EUR
10+1.12 EUR
100+1 EUR
1000+0.77 EUR
1500+0.71 EUR
10500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R3K7P7AKMA1 INFN-S-A0006116883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPU95R3K7P7AKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+3.25 EUR
175+1.33 EUR
196+1.09 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPU95R3K7P7AKMA1 Infineon-IPU95R3K7P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c3bd81e57e6
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
auf Bestellung 1255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
239+0.73 EUR
250+0.67 EUR
277+0.58 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH