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Technische Details IPU95R450P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm.
Weitere Produktangebote IPU95R450P7AKMA1 nach Preis ab 3.62 EUR bis 6.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPU95R450P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO251-3 |
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IPU95R450P7AKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm |
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IPU95R450P7AKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 950V Drain current: 8.6A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 35nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: IPAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPU95R450P7AKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; IPAK Mounting: THT Drain-source voltage: 950V Drain current: 8.6A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 35nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: IPAK |
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