IPW60R017C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 109A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 109A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
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Technische Details IPW60R017C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 446W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm.
Weitere Produktangebote IPW60R017C7XKSA1 nach Preis ab 14.28 EUR bis 30.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V |
auf Bestellung 651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 1232 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R017C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 446W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPW60R017C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 21.03 EUR |
| 10+ | 16.09 EUR |
| 100+ | 14.79 EUR |
| IPW60R017C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 21.09 EUR |
| 10+ | 15.78 EUR |
| 100+ | 14.28 EUR |
| IPW60R017C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 27.19 EUR |
| 30+ | 16.97 EUR |
| 120+ | 15.49 EUR |
| IPW60R017C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 480 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 29.21 EUR |
| 10+ | 18.7 EUR |
| 100+ | 16.7 EUR |
| IPW60R017C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 30.98 EUR |
| 10+ | 19.4 EUR |
| 100+ | 18.46 EUR |
| IPW60R017C7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)