IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPW60R017C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPW60R017C7XKSA1 nach Preis ab 15.17 EUR bis 32.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V |
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
auf Bestellung 677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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