IPW60R017C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 109A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 109A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
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Technische Details IPW60R017C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 600V, 109A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPW60R017C7XKSA1 nach Preis ab 13.39 EUR bis 30.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V |
auf Bestellung 651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 1492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 600V, 109A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IPW60R017C7XKSA1 | Hersteller : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 600V 109A TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |