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IPW60R018CFD7XKSA1

IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies

infineonipw60r018cfd7dsv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 416W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW60R018CFD7XKSA1 IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r018cfd7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R018CFD7XKSA1 IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r018cfd7dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R018CFD7XKSA1 IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R018CFD7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPW60R018CFD7XKSA1 IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R018CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635e133c12291d Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9901 pF @ 400 V
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30+22.22 EUR
60+20.62 EUR
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IPW60R018CFD7XKSA1 IPW60R018CFD7XKSA1 INFINEON 2643896.pdf Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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rohsCompliant: YES
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isCanonical: Y
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9901 pF @ 400 V
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Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
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Qualifikation: -
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 238 Stücke:
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