Technische Details IPW60R024P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 291W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPW60R024P7XKSA1 nach Preis ab 8.92 EUR bis 19.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPW60R024P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R024P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V Power Dissipation (Max): 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V |
auf Bestellung 927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R024P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R024P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R024P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R024P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IPW60R024P7XKSA1 | Hersteller : Infineon |
MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IPW60R024P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 101, Ciss, пФ @ Uds, В = 7144 @ 400, Qg, нКл = 164, Rds = 24 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 291, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
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