IPW60R037CM8XKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IPW60R037CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 329W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote IPW60R037CM8XKSA1 nach Preis ab 6.58 EUR bis 12.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IPW60R037CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R037CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R037CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
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IPW60R037CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPW60R037CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R037CM8XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 329W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R037CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IPW60R037CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IPW60R037CM8XKSA1 |
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