IPW60R041C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 481W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 481W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
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Technische Details IPW60R041C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 481W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPW60R041C6FKSA1 nach Preis ab 12.8 EUR bis 26.73 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IPW60R041C6FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3 Mounting: THT Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 77.5A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 481W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ C6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R041C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R041C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R041C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R041C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 10 V |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R041C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6 |
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IPW60R041C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R041C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R041C6FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 481W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R041C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R041C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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