IPW60R041P6 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 20.59 EUR |
| 10+ | 14.55 EUR |
| 100+ | 12.15 EUR |
| 480+ | 10.78 EUR |
| 1200+ | 10.22 EUR |
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Technische Details IPW60R041P6 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 77.5A; Idm: 267A; 481W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 77.5A, Power dissipation: 481W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 267A, Gate charge: 170nC.
Weitere Produktangebote IPW60R041P6 nach Preis ab 23.9 EUR bis 28.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPW60R041P6 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R041P6 | Infineon technologies |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPW60R041P6 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 77.5A; Idm: 267A; 481W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 77.5A Power dissipation: 481W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 267A Gate charge: 170nC |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPW60R041P6 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 28.55 EUR |
| 10+ | 27.27 EUR |
| 20+ | 25.97 EUR |
| 50+ | 24.79 EUR |
| 100+ | 23.9 EUR |
| IPW60R041P6 |
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IPW60R041P6 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 77.5A; Idm: 267A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 267A
Gate charge: 170nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 77.5A; Idm: 267A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 267A
Gate charge: 170nC
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)