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IPW60R060C7XKSA1

Infineon-IPW60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a130041f2b80
Produktcode: 161478
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW60R060C7XKSA1 IPW60R060C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d462518ffd8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R060C7XKSA1 IPW60R060C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPW60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a130041f2b80 Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 593 Stücke:
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