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IPW60R060P7XKSA1

Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c
Produktcode: 192082
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW60R060P7XKSA1 IPW60R060P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R060P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.49 EUR
10+10.91 EUR
100+8.84 EUR
480+6.5 EUR
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IPW60R060P7XKSA1 IPW60R060P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.52 EUR
30+9 EUR
120+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPW60R060P7XKSA1 IPW60R060P7XKSA1 INFINEON 2718793.pdf Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.72 EUR
20+12.19 EUR
100+9.1 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IPW60R060P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 164W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 164W
Gate charge: 67nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247-3
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.02 EUR
11+8.31 EUR
14+6.41 EUR
20+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPW60R060P7XKSA1 Infineon_IPW60R060P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPW60R060P7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IPW60R060P7XKSA1 Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c
IPW60R060P7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
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IPW60R060P7XKSA1 2718793.pdf
IPW60R060P7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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13+19.72 EUR
20+12.19 EUR
100+9.1 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IPW60R060P7XKSA1 Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 164W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 164W
Gate charge: 67nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: TO247-3
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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10+9.02 EUR
11+8.31 EUR
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