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IPW60R060P7XKSA1

Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c
Produktcode: 192082
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW60R060P7XKSA1 IPW60R060P7XKSA1 INFINEON 2718793.pdf Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.42 EUR
20+11.79 EUR
100+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPW60R060P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 164W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
auf Bestellung 25 Stücke:
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IPW60R060P7XKSA1 2718793.pdf
IPW60R060P7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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AnzahlPrivatkunde
12+22.42 EUR
20+11.79 EUR
100+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPW60R060P7XKSA1 Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 164W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
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