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IPW60R070P6XKSA1

Infineon-IPW60R070P6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014694ab3f43692e
Produktcode: 165846
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW60R070P6XKSA1 IPW60R070P6XKSA1 Infineon Technologies 59ds_ipw60r070p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+5.8 EUR
480+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IPW60R070P6XKSA1 IPW60R070P6XKSA1 Infineon Technologies 59ds_ipw60r070p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 720 Stücke:
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240+5.8 EUR
480+4.68 EUR
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IPW60R070P6XKSA1 IPW60R070P6XKSA1 Infineon Technologies 59ds_ipw60r070p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.72 EUR
25+6.5 EUR
50+6.24 EUR
100+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IPW60R070P6XKSA1 IPW60R070P6XKSA1 INFINEON INFNS30563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 391W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.27 EUR
25+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IPW60R070P6XKSA1 IPW60R070P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R070P6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014694ab3f43692e Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V
auf Bestellung 1306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.3 EUR
30+7.62 EUR
120+6.37 EUR
510+5.45 EUR
1020+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPW60R070P6XKSA1 IPW60R070P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R070P6_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.39 EUR
10+8.15 EUR
100+6.5 EUR
480+6.06 EUR
1200+5.15 EUR
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IPW60R070P6XKSA1 59ds_ipw60r070p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW60R070P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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480+4.58 EUR
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IPW60R070P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 720 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IPW60R070P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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100+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IPW60R070P6XKSA1
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Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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15+11.72 EUR
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IPW60R070P6XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 391W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
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IPW60R070P6XKSA1 Infineon-IPW60R070P6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014694ab3f43692e
IPW60R070P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V
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AnzahlPrivatkunde
2+13.3 EUR
30+7.62 EUR
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1020+5.12 EUR
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IPW60R070P6XKSA1 Infineon_IPW60R070P6_DS_v02_00_en.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
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