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IPW60R075CPAFKSA1

IPW60R075CPAFKSA1 Infineon Technologies

ipw60r075cp_rev23.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPW60R075CPAFKSA1 Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.74mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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IPW60R075CPAFKSA1 IPW60R075CPAFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipw60r075cp_rev23.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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IPW60R075CPAFKSA1 IPW60R075CPAFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPW60R075CPA_DS_v02_00_EN-1227518.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.74mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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