IPW60R099CPFKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPW60R099CPFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPW60R099CPFKSA1 nach Preis ab 4.88 EUR bis 12.07 EUR
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IPW60R099CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R099CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R099CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP |
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IPW60R099CPFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPW60R099CPFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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IPW60R099CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V |
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IPW60R099CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R099CPFKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPW60R099CPFKSA1 Produktcode: 189155
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IPW60R099CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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