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IPW60R099P6XKSA1

IPW60R099P6XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa60r099p6-ds-v02_01-en.pdffileid5546d461464245d301468f.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IPW60R099P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 278W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW60R099P6XKSA1 IPW60R099P6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r099p6-ds-v02_01-en.pdffileid5546d461464245d301468f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
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IPW60R099P6XKSA1 IPW60R099P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R099P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Drain current: 37.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
auf Bestellung 56 Stücke:
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14+6.46 EUR
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30+5.88 EUR
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auf Bestellung 480 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPW60R099P6XKSA1 IPW60R099P6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001299570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
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32+7.38 EUR
100+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IPW60R099P6XKSA1 IPW60R099P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R099P6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d461464245d301468f0e6251673a Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.1 EUR
30+6.26 EUR
120+5.2 EUR
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IPW60R099P6XKSA1 IPW60R099P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R099P6-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Drain current: 37.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
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14+6.46 EUR
18+4.94 EUR
20+4.28 EUR
30+3.95 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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30+5.88 EUR
120+4.7 EUR
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IPW60R099P6XKSA1 infineon-ipa60r099p6-ds-v02_01-en.pdffileid5546d461464245d301468f.pdf
IPW60R099P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.82 EUR
30+6.01 EUR
120+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPW60R099P6XKSA1 INFN-S-A0001299570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R099P6XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
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23+10.9 EUR
32+7.38 EUR
100+5.76 EUR
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IPW60R099P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.1 EUR
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MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
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1+12.98 EUR
10+7.35 EUR
100+6.09 EUR
480+5.18 EUR
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2640+4.02 EUR
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