IPW60R120P7XKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IPW60R120P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote IPW60R120P7XKSA1 nach Preis ab 2.09 EUR bis 4.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPW60R120P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R120P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R120P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R120P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R120P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R120P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R120P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW60R120P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V |
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