IPW60R125C6FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPW60R125C6FKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 219W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote IPW60R125C6FKSA1 nach Preis ab 4.7 EUR bis 9.73 EUR
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IPW60R125C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R125C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6 |
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IPW60R125C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R125C6FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R125C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 219W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
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IPW60R125C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R125C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R125C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R125C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R125C6FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 219W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPW60R125C6FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 219W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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