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IPW60R125P6XKSA1

IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies

53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 219W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies 53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R125P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.36 EUR
22+4 EUR
30+3.64 EUR
120+3.12 EUR
150+3.05 EUR
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auf Bestellung 240 Stücke:
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37+4.75 EUR
44+3.88 EUR
120+3.57 EUR
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44+3.84 EUR
120+3.47 EUR
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IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R125P6_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
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1+10.08 EUR
10+5.13 EUR
100+4.69 EUR
480+4.06 EUR
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IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.25 EUR
30+5.75 EUR
60+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Infineon info-tipw60r125p6.pdf N-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
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IPW60R125P6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
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3+10.25 EUR
30+5.75 EUR
60+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPW60R125P6XKSA1 info-tipw60r125p6.pdf
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Hersteller: Infineon
N-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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2+19.69 EUR
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