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IPW60R160C6 Infineon


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Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 TIPW60r160c6
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Technische Details IPW60R160C6 Infineon

Description: 23.8A, 600V, 0.16OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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