IPW60R180P7 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 6.9 EUR |
| 27+ | 6.51 EUR |
| 50+ | 6.13 EUR |
| 100+ | 5.78 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
26 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPW60R180P7 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11A, Power dissipation: 72W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 25nC, Version: ESD.
Weitere Produktangebote IPW60R180P7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
IPW60R180P7 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
IPW60R180P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 25nC Version: ESD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPW60R180P7 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPW60R180P7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH



