IPW60R180P7 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 6.9 EUR |
| 27+ | 6.51 EUR |
| 50+ | 6.13 EUR |
| 100+ | 5.78 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPW60R180P7 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11A, Power dissipation: 72W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: THT, Gate charge: 25nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Weitere Produktangebote IPW60R180P7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R180P7 | Infineon |
auf Bestellung 54960 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPW60R180P7 |
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 54960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)