IPW60R190E6 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.2 EUR |
| 10+ | 6.03 EUR |
| 100+ | 4.5 EUR |
| 480+ | 3.77 EUR |
| 1200+ | 3.5 EUR |
| 2640+ | 3.28 EUR |
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Technische Details IPW60R190E6 Infineon Technologies
Description: 600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET,, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 151W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote IPW60R190E6 nach Preis ab 9.89 EUR bis 9.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R190E6 | Infineon |
 Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6FKSA1 TIPW60r190e6Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPW60R190E6 |
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Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6FKSA1 TIPW60r190e6
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6FKSA1 TIPW60r190e6
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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