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IPW65R018CM8XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPW65R018CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626b336063b68
Hersteller: Infineon Technologies
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Technische Details IPW65R018CM8XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R018CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 116 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, Verlustleistung: 521W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW65R018CM8XKSA1 IPW65R018CM8XKSA1 Infineon Technologies infineon_ipw65r018cm8_datasheet_en.pdf MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
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IPW65R018CM8XKSA1 IPW65R018CM8XKSA1 INFINEON Infineon-IPW65R018CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626b336063b68 Description: INFINEON - IPW65R018CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 116 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R018CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 116 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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