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IPW65R037C6FKSA1


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Produktcode: 180225
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW65R037C6FKSA1 IPW65R037C6FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipw65r037c6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW65R037C6FKSA1 IPW65R037C6FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPW65R037C6_DS_v02_00_en-1227429.pdf MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6
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IPW65R037C6FKSA1 IPW65R037C6FKSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPW65R037C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133877a719210a9 Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 254 Stücke:
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IPW65R037C6FKSA1 IPW65R037C6FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPW65R037C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133877a719210a9 Description: MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240 pF @ 100 V
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