Technische Details IPW65R040CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R040CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, Verlustleistung: 329W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
Weitere Produktangebote IPW65R040CM8XKSA1 nach Preis ab 5.43 EUR bis 14.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 5040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IPW65R040CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW65R040CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW65R040CM8XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R040CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 329W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPW65R040CM8XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 24+ | 6.22 EUR |
| 30+ | 5.66 EUR |
| 120+ | 5.43 EUR |
| IPW65R040CM8XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 240+ | 7.77 EUR |
| 510+ | 6.63 EUR |
| IPW65R040CM8XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPW65R040CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V
Description: IPW65R040CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 12.41 EUR |
| 30+ | 7.24 EUR |
| 120+ | 6.1 EUR |
| IPW65R040CM8XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 14.22 EUR |
| 10+ | 8.34 EUR |
| 100+ | 7.04 EUR |
| 480+ | 6.79 EUR |
| IPW65R040CM8XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R040CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IPW65R040CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)