IPW65R048CFDAFKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 21.1 EUR |
| 10+ | 20.68 EUR |
| 25+ | 16.58 EUR |
| 50+ | 16.54 EUR |
| 100+ | 14.89 EUR |
| 240+ | 14.5 EUR |
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Technische Details IPW65R048CFDAFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R048CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 63.3 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFDA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPW65R048CFDAFKSA1 nach Preis ab 17.19 EUR bis 22.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IPW65R048CFDAFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 29.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7440 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW65R048CFDAFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R048CFDAFKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R048CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 63.3 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R048CFDAFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW65R048CFDAFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |