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IPW65R050CFD7AXKSA1

IPW65R050CFD7AXKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipw65r050cfd7a-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPW65R050CFD7AXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R050CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IPW65R050CFD7AXKSA1 nach Preis ab 8.46 EUR bis 17.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW65R050CFD7AXKSA1 IPW65R050CFD7AXKSA1 INFINEON INFN-S-A0010753601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R050CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.99 EUR
19+12.34 EUR
22+9.96 EUR
50+9.94 EUR
100+9.91 EUR
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IPW65R050CFD7AXKSA1 IPW65R050CFD7AXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171c0167ea2084c Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.92 EUR
30+9.98 EUR
120+8.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPW65R050CFD7AXKSA1 IPW65R050CFD7AXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW65R050CFD7A_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 1126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.42 EUR
10+10.31 EUR
100+8.76 EUR
480+8.6 EUR
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IPW65R050CFD7AXKSA1 INFN-S-A0010753601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW65R050CFD7AXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R050CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
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IPW65R050CFD7AXKSA1
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Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
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Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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30+9.98 EUR
120+8.46 EUR
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10+10.31 EUR
100+8.76 EUR
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