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Technische Details IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: 650V FET COOLMOS TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote IPW65R060CFD7XKSA1 nach Preis ab 9.11 EUR bis 14.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IPW65R060CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube |
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IPW65R060CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube |
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| IPW65R060CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005433699 |
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IPW65R060CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube |
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IPW65R060CFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: 650V FET COOLMOS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V |
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