IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 11.38 EUR |
| 19+ | 9.09 EUR |
| 50+ | 8.31 EUR |
| 100+ | 7.26 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: 650V FET COOLMOS TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote IPW65R060CFD7XKSA1 nach Preis ab 6.37 EUR bis 13.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| IPW65R060CFD7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.57 EUR |
| 25+ | 10.26 EUR |
| 100+ | 8.9 EUR |
| 480+ | 6.37 EUR |



