IPW65R080CFDFKSA1 Infineon Technologies
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| 52+ | 10.79 EUR |
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Technische Details IPW65R080CFDFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 391W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPW65R080CFDFKSA1 nach Preis ab 7.30 EUR bis 13.43 EUR
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IPW65R080CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW65R080CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW65R080CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2 |
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IPW65R080CFDFKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R080CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R080CFDFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW65R080CFDFKSA1 THT N channel transistors |
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IPW65R080CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V |
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