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IPW65R095C7XKSA1

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Produktcode: 201470
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+5.13 EUR
500+4.78 EUR
1000+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
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32+5.6 EUR
35+4.9 EUR
120+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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31+5.62 EUR
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IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.71 EUR
50+7.5 EUR
100+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies DS_IPW65R095C7_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30434208e5fd01420de7a9d56470 Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.58 EUR
30+6.01 EUR
120+5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW65R095C7_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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1+10.86 EUR
25+5.71 EUR
100+5.09 EUR
240+5.07 EUR
480+4.41 EUR
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IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 INFINEON INFNS28759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.34 EUR
24+9.67 EUR
100+5.81 EUR
500+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IPW65R095C7XKSA1 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
IPW65R095C7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW65R095C7XKSA1 3618ds_ipw65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW65R095C7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW65R095C7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 486 Stücke:
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1+10.86 EUR
25+5.71 EUR
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IPW65R095C7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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24+9.67 EUR
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