Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW65R110CFD7XKSA1
IPW65R110CFD7XKSA1

IPW65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipw65r110cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+5.24 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 125 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPW65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 114W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm.

Weitere Produktangebote IPW65R110CFD7XKSA1 nach Preis ab 4.53 EUR bis 14.97 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW65R110CFD7XKSA1 IPW65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipw65r110cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+5.24 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R110CFD7XKSA1 IPW65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d5e8e7bb9 Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.48 EUR
30+7.09 EUR
60+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R110CFD7XKSA1 IPW65R110CFD7XKSA1 INFINEON 3189140.pdf Description: INFINEON - IPW65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.97 EUR
32+7.38 EUR
100+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R110CFD7XKSA1 infineon-ipw65r110cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf
IPW65R110CFD7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+5.24 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R110CFD7XKSA1 Infineon-IPW65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d5e8e7bb9
IPW65R110CFD7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.48 EUR
30+7.09 EUR
60+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R110CFD7XKSA1 3189140.pdf
IPW65R110CFD7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+14.97 EUR
32+7.38 EUR
100+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH