IPW65R110CFDFKSA2 Infineon Technologies
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 240+ | 6.38 EUR |
| 480+ | 5.22 EUR |
| 1200+ | 4.71 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPW65R110CFDFKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277.8W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPW65R110CFDFKSA2 nach Preis ab 4.92 EUR bis 10.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R110CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IPW65R110CFDFKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277.8W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
IPW65R110CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
IPW65R110CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
IPW65R110CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
Produkt ist nicht verfügbar |