IPW65R125C7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPW65R125C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 101W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote IPW65R125C7XKSA1 nach Preis ab 4.01 EUR bis 4.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R125C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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