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IPW65R150CFDAFKSA1

Infineon-IPX65R150CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043399628450139af71b2a12046
Produktcode: 207780
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW65R150CFDAFKSA1 IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon Technologies ds_ipx65r150cfda_final2.0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileiddb3a3043399628.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+4.24 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
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IPW65R150CFDAFKSA1 IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPX65R150CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043399628450139af71b2a12046 Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.66 EUR
30+6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPW65R150CFDAFKSA1 IPW65R150CFDAFKSA1 INFINEON 2820334.pdf Description: INFINEON - IPW65R150CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 195.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.95 EUR
38+6.26 EUR
100+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IPW65R150CFDAFKSA1 IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPX65R150CFDA_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO247-3
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.13 EUR
10+7.27 EUR
100+5.37 EUR
480+4.76 EUR
1200+4.25 EUR
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IPW65R150CFDAFKSA1 ds_ipx65r150cfda_final2.0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fileiddb3a3043399628.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7.pdf
IPW65R150CFDAFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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AnzahlPrivatkunde
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IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon-IPX65R150CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043399628450139af71b2a12046
IPW65R150CFDAFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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IPW65R150CFDAFKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R150CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 195.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+10.95 EUR
38+6.26 EUR
100+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon_IPX65R150CFDA_DS_v02_00_en.pdf
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MOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO247-3
auf Bestellung 425 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+11.13 EUR
10+7.27 EUR
100+5.37 EUR
480+4.76 EUR
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