IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPW90R120C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW90R120C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPW90R120C3XKSA1 nach Preis ab 12.08 EUR bis 30.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPW90R120C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW90R120C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW90R120C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW90R120C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW90R120C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
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IPW90R120C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V |
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IPW90R120C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW90R120C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IPW90R120C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Power MOSFET |
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