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IPZ40N04S5-3R1 Infineon Technologies


Hersteller: Infineon Technologies
IPZ40N04S5-3R1
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Technische Details IPZ40N04S5-3R1 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8, Case: PG-TSDSON-8, Mounting: SMD, Power dissipation: 71W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 5, Drain current: 40A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Application: automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.1mΩ.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPZ40N04S5-3R1 IPZ40N04S5-3R1 Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ40N04S53R1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
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IPZ40N04S5-3R1
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1.pdf
IPZ40N04S53R1ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
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