| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 1.86 EUR |
| 100+ | 1.75 EUR |
| 250+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.55 EUR |
| 1000+ | 1.48 EUR |
| 2500+ | 1.4 EUR |
| 5000+ | 1.33 EUR |
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Technische Details IPZ40N04S5-3R1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8, Case: PG-TSDSON-8, Mounting: SMD, Power dissipation: 71W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 5, Drain current: 40A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Application: automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.1mΩ.
Weitere Produktangebote IPZ40N04S5-3R1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPZ40N04S5-3R1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPZ40N04S53R1ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ |
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| IPZ40N04S5-3R1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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| IPZ40N04S53R1ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
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