IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPZ40N04S5L7R4ATMA1 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.72 EUR
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 12250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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