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IPZ60R017C7XKSA1

Infineon-IPZ60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc275c6b7da2
Produktcode: 154853
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 289infineon-ipz60r017c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cc.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IPZ60R017C7XKSA1 IPZ60R017C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPZ60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc275c6b7da2 Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
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