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IPZ65R019C7XKSA1

Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb
Produktcode: 117276
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Infineon Technologies ds_ipz65r019c7_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 480 Stücke:
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240+28.17 EUR
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IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Infineon Technologies ds_ipz65r019c7_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+30 EUR
10+28.73 EUR
100+27.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.42 EUR
30+20.15 EUR
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IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 INFINEON Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb Description: INFINEON - IPZ65R019C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+39.47 EUR
10+32.3 EUR
50+26.83 EUR
100+25 EUR
250+24.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPZ65R019C7_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.23 EUR
10+34.61 EUR
100+29.9 EUR
480+28.33 EUR
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IPZ65R019C7XKSA1 ds_ipz65r019c7_2_0.pdf
IPZ65R019C7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 480 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IPZ65R019C7XKSA1
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Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IPZ65R019C7XKSA1 Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb
IPZ65R019C7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
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IPZ65R019C7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ65R019C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
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6+39.47 EUR
10+32.3 EUR
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MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
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1+43.23 EUR
10+34.61 EUR
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