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IPZ65R019C7XKSA1

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Produktcode: 117276
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ds_ipz65r019c7_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 480 Stücke:
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240+23.4 EUR
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IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ds_ipz65r019c7_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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6+24.38 EUR
10+22.97 EUR
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IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPZ65R019C7_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
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IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
auf Bestellung 985 Stücke:
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1+25.56 EUR
30+16.93 EUR
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IPZ65R019C7XKSA1 IPZ65R019C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ds_ipz65r019c7_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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