IPZA60R016CM8XKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IPZA60R016CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 521W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPZA60R016CM8XKSA1 nach Preis ab 15.36 EUR bis 22.70 EUR
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IPZA60R016CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube |
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IPZA60R016CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor |
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IPZA60R016CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPZA60R016CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V Power Dissipation (Max): 521W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V |
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IPZA60R016CM8XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 521W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPZA60R016CM8XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube |
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